功能描述：IGBT 模块 N-CH 3.3KV 1KA
RoHS：否
制造商：Infineon Technologies
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：1.95 V
在25 C的连续集电极电流：230 A
栅极—射极漏泄电流：400 nA
功率耗散：445 W
最大工作温度：+ 125 C
封装 / 箱体：34MM
封装：
FZ1000R33HL3
FZ1050R12KF4
FZ1200R12H
FZ1200R12HE4
FZ1200R12HP4
FZ1200R12KE3
FZ1200R12KF1
FZ1200R12KF4
FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4C
您可以：
1. 缩短或修改您的搜索词，重新搜索
2. 发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复 发布紧急采购